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【题目】多晶硅是制作光伏电池的关键材料。将SiCl4氢化为SiHCl3的热化学方程式为:3SiCl42H2(g)Si(s)4SiHCl3(g) △H2<0

(1)该反应是____________反应(填吸热、放热)

(2)在相同条件,相同时间t时,不同温度下该反应中SiCl4转化率如图所示。下列叙述正确的是________________(填序号)

a.相同时间t内,A点的平均反应速率大于B

b.相同时间t时,B点:v>v

c.相同时间t时,vC点大于A

d.工业生产中采用了适宜温度:480520°C

(3)为了增大化学反应速率,除加入催化剂、升高温度外还可以采用哪些方法和措施:___(只写出一条)

【答案】放热 bcd 将固体Si粉碎增大接触面积、增大反应物浓度、加入反应物增大压强(只填增大压强不得分)

【解析】

(1) 已知△H2<0,则该反应为放热反应;

(2) a.相同时间t内,A点的温度小于B点,则A点的平均反应速率小于B点,与题意不符,a错误;

b.相同时间t时,B点未达到平衡状态,反应正向进行,则v>v,符合题意,b正确;

c.相同时间t时,C点的温度大于A点,则vC点大于A点,符合题意,c正确;

d.根据图像可知,温度在480520°C时,SiCl4的转化率最高,则工业生产中采用了适宜温度:480520°C,符合题意,d正确;

(3) 将固体Si粉碎增大接触面积、增大反应物浓度、加入反应物增大压强均可提高反应速率。

(1) 已知△H2<0,则该反应为放热反应;

(2) a.相同时间t内,A点的温度小于B点,则A点的平均反应速率小于B点,与题意不符,a错误;

b.相同时间t时,B点未达到平衡状态,反应正向进行,则v>v,符合题意,b正确;

c.相同时间t时,C点的温度大于A点,则vC点大于A点,符合题意,c正确;

d.根据图像可知,温度在480520°C时,SiCl4的转化率最高,则工业生产中采用了适宜温度:480520°C,符合题意,d正确;

答案为bcd

(3) 将固体Si粉碎增大接触面积、增大反应物浓度、加入反应物增大压强均可提高反应速率。

练习册系列答案
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