【题目】霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图1所示，在一矩形半导体薄片的P，Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M，N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH＝k，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．

(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电，电流与磁场方向如图1所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“＋”接线柱与______(填“M”或“N”)端通过导线相连．

(2)已知薄片厚度d＝0.40 mm，该同学保持磁感应强度B＝0.10 T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示．根据表中数据在图2中画出UH—I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10－3V·m·A－1·T－1(保留2位有效数字).

(3)该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图3所示的测量电路，S1，S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片(未画出)．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向________(填“a”或“b”)，S2掷向________(填“c”或“d”)．为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中．在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件________和________(填器件代号)之间．

【题目】如图所示，半导体板放在磁感应强度为B的匀强磁场中，B垂直于导体板的上、下表面。当电流I垂直左右横截面通过半导体板时，在半导体板的前后两表面间会产生电势差UH，这种现象称为霍尔效应，定义霍尔电阻为。实验表明，当磁场不太强时RH与B成正比；当磁场超过一定数值时，RH会显示出量子化行为，可以表示为，n为正整数。已知R0仅与元电荷e和普朗克常数h有关。你可能不了解此现象的具体机制，也不会求解R0的表达式，但根据所学的知识你可以对R0表达式的合理性做出一些判断。根据你的判断，下列关于R0的表达式可能正确的是（　　）

A.B.C.D.

(2)用游标卡尺可以测量某些工件的外径。在测量时，示数如上图乙所示，则读数分别为_______mm。

A.第二列为板的宽度l

B.第二列为通入的电流强度I

C.第三列为板的厚度d

D.第三列为通入的电流强度I

A. 当θ=60°时,风速v=6 m/s

B. 当风速增大到某一值时,θ可能等于90°

C. 若风速不变,换用半径变大、质量不变的球,则θ不变

D. 若风速不变,换用半径相等、质量变大的球,则θ减小

（1）小球运动到O点时的速度大小；

（2）悬线断裂前瞬间拉力的大小；

（3）ON间的距离。

（1）求弹簧枪对小物体所做的功；

（2）在斜轨上小物体能到达的最高点为P，求CP的长度．

A.A和B位置等高，说明摆球在运动过程中机械能守恒

B.摆球在A点的所受合力大小大于在B点的合力

C.摆球经过O点前后瞬间加速度大小不变

D.摆球经过O点前后瞬间角速度大小不变

E.摆球从A点到O点的过程中重力做功的功率，等于摆球从O点到B点的过程中克服重力做功的功率

F.在O点附近摆球相邻位置的间隔较大，说明其在O点附近相邻位置间的运动时间较长

G.小球在A点受绳的拉力大小小于其在B点受绳的拉力

①减小斜面BC的倾角（图中BC′），小球将通过较长的路程，仍能到达原来的高度

②由静止释放小球，小球沿斜面AB滚下，滚上另一斜面BC，高度几乎与原来相同

③如果没有摩擦，小球将上升到原来的高度

④继续减小BC的倾角，最终使它水平，小球将沿水平面以恒定速度一直运动下去

对事件性质的判断及排序，正确的是( )

A.事实②→推论①→事实③→推论④

B.事实①→推论②→事实③→推论④

C.事实②→推论①→推论④→推论③

D.事实②→推论③→推论①→推论④

A.过程①中木块获得的动能一定小于此过程中子弹损失动能的二分之一

B.过程②中弹簧的最大弹性势能一定小于过程①中子弹损失的动能

C.过程②中弹簧的最大弹性势能一定大于过程①中木块所获得的动能

D.过程②中弹簧的最大弹性势能一定小于过程①中子弹损失动能的二分之一

E.过程①中木块对子弹所做功绝对值一定小于子弹对木块所做功的绝对值

F.过程①中木块对子弹的冲量大小一定等于子弹对木块的冲量大小

G.过程②中墙壁对弹簧的冲量大小一定等于木块和子弹动量的减小量