Question

（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为

 

．
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为

 

（用元素符号表示）．
（3）Cu晶体的堆积方式是

 

（填堆积方式名称），其配位数为

 

；往Cu的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列说法正确的是

 

A．[Cu （NH₃）₄]SO₄中所含的化学键有离子键、极性键和配位键
B．在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺给出孤对电子，NH₃提供空轨道
C．[Cu （NH₃）₄]SO₄组成元素中第一电离能最大的是氧元素
D．SO₄^2-与PO₄^3-互为等电子体，空间构型均为正四面体
（4）氨基乙酸铜的分子结构如图1，碳原子的杂化方式为

 

．
（5）Cu元素与H元素可形成一种红色化合物，其晶体结构单元如图2所示．则该化合物的化学式为

 

．

Answer 1

考点：晶胞的计算,原子核外电子排布,元素电离能、电负性的含义及应用,配合物的成键情况,原子轨道杂化方式及杂化类型判断

专题：

分析：（1）根据构造原理写出其核外电子排布式；
（2）同一周期中元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大的趋势，但第VA族元素大于其相邻元素；
（3）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积，配位数为12；根据的[Cu（NH₃）₄]SO₄结构判断选项；
（4）根据碳原子的成键情况要以判断碳原子的杂化方式；
（5）利用均摊法确定其化学式．

解答： 解：（1）铜是29号元素，铜原子失去一个电子变成亚铜离子，所以亚铜离子核外有28个电子，基态铜离子（Cu⁺）的价电子排布式为：3d¹⁰，故答案为：3d¹⁰；
（2）As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大，这三种元素依次属于第IVA族、第VA族、第VIA族，第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能，所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br＞As＞Se，故答案为：Br＞As＞Se；
（3）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积，配位数为12；
A、N与H原子形成极性共价键，[Cu（NH₃）₄]²⁺与SO₄^2-形成离子键，Cu²⁺与NH₃形成配位键，故A正确；
B、氨气分子的键角小于水分子的键角，故B错误；
C、金属的第一电离能比非金属元素的第一电离能大，故C错误；
D、SO₄^2-与PO₄^3-原子个数相等，价电子数相等，互为等电子体，空间构型均为正四面体，故D正确；
故答案为：面心立方最密堆积；12；AD；
（4）氨基乙酸铜的分子中一种碳有碳氧双键，碳的杂化方式为sp²杂化，另一种碳周围都是单键，碳的杂化方式为sp³杂化；
故答案为：sp³、sp²；
（5）该晶胞中，Cu原子在晶胞体内，故Cu原子个数=4，Cl原子在晶胞顶点和面心，故Cl原子个数=8×

1

8

+6×

1

2

=4，所以其化学式为CuCl．
故答案为：CuCl．

点评：本题考查了晶胞的计算、元素周期律、原子杂化等知识点，这些都是学习重点也是学习难点，同时考查学生的空间想象能力、分析问题能力、数学分析逻辑能力等，难度较大．