科目: 来源: 题型:
【题目】甲苯是有机合成的重要原料,既可用来合成抗流感病毒活性药物的中间体E,也可用来合成γ-分泌调节剂的药物中间体K,合成路线如下:
已知:ⅰ.R1NH2+Br-R2R1-NH-R2+HBr
ⅱ.
(1)A的结构简式为______________。
(2)C中含氧官能团名称为_____________。
(3)C→D的化学方程式为_____________。
(4)F→G的反应条件为________________。
(5)H→I的化学方程式为________________。
(6)J的结构简式为_____________。
(7)利用题目所给信息,以和为原料合成化合物L的流程如下,写出中间产物1和中间产物2的结构简式:______,_________。
①
②合成L的过程中还可能得到一种高分子化合物,其结构简式为________。
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】下列事实中,不能用平衡移动原理解释的是
A. 开启啤酒瓶后,瓶中马上泛起大量泡沫
B. 由H2、I2(g)、HI组成的平衡体系,加压后颜色加深
C. 实验室中常用排饱和食盐水的方法收集氯气
D. 工业上生产硫酸的过程中使用过量的空气以提高二氧化硫的利用率
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】某学习小组利用下图装置探究铜与浓H2SO4的反应(夹持装置和A中加热装置已略,气密性已检验)。
资料:微量Cu2+与过量NaOH溶液发生反应:Cu2++4OH =[Cu(OH)4]2,[Cu(OH)4]2溶于甘油形成特征的绛蓝色溶液。
编号 | 实验用品 | 实验现象 | |
I | 10mL 15mol/L 浓H2SO4溶液 | 过量铜片 | 剧烈反应,品红溶液褪色,150℃时铜片表面产生大量黑色沉淀,继续加热,250℃时黑色沉淀消失。 |
II | 10mL 15mol/L 浓H2SO4溶液 | 适量铜片 | 剧烈反应,品红溶液褪色,150℃时铜片表面产生少量黑色沉淀,继续加热,250℃时黑色沉淀消失。 |
(1)A中反应的化学方程式是________。
(2)将装置C补充完整并标明所用试剂________。
(3)实验I中,铜片表面的黑色沉淀可能含CuO、Cu2S或CuS。为探究黑色沉淀的成分,取出反应后的铜片,用水小心冲洗后,进行下列操作:
i. 黑色沉淀脱落,一段时间后,上层溶液呈无色。 | ii. 开始时,上层溶液呈无色,一段时间后,上层溶液呈淡蓝色。 |
甲认为通过上述两个实验证明黑色沉淀不含CuO,理由是________。
②乙同学认为仅通过颜色判断不能得出上述结论,理由是______。需要增加实验iii,说明黑色沉淀不含CuO,实验iii的操作和现象是_______。
(4)甲同学对黑色沉淀成分继续探究,补全实验方案:
编号 | 实验操作 | 实验现象 |
iv | 取洗净后的黑色沉淀,加入适量_____溶液,加热。 | 黑色沉淀全部溶解,试管上部出现红棕色气体,底部有淡黄色固体生成。 |
(5)用仪器分析黑色沉淀的成分,数据如下:
150℃取样 | 230℃取样 |
铜元素3.2g,硫元0.96g。 | 铜元素1.28g,硫元0.64g。 |
230℃时黑色沉淀的成分是__________。
(6)为探究黑色沉淀消失的原因,取230℃时的黑色沉淀,加入浓H2SO4,加热至250℃时,黑色沉淀溶解,有刺激性气味的气体生成,试管底部出现淡黄色固体,溶液变蓝。用化学方程式解释原因____。
(7)综合上述实验过程,说明Cu和浓H2SO4除发生主反应外,还发生着其他副反应,为了避免副反应的发生,Cu和浓H2SO4反应的实验方案是______。
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】用NA表示阿伏加德罗常数的值,下列叙述中正确的是
A. 1 mol甲基(-CH3)所含的电子数为10NA
B. 常温常压下,1 mol分子式为C2H6O的有机物中,含有C-O键的数目为NA
C. 14g由乙烯和环丙烷()组成的混合气体中,含有的原子总数为3NA
D. 标准状况下,22.4L四氯化碳中含有共用电子对的数目为4NA
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】芳香族化合物A(C9H12O)常用于药物及香料的合成,A有如下转化关系:
①A不能使酸性高锰酸钾溶液褪色
②+CO2
③
回答下列问题:
(1)A生成B的反应类型为__________,由E生成F的反应条件为_________________。
(2)D中含有的官能团名称为_________________。
(3)K的结构简式为______________________。
(4)F与银氨溶液反应的化学方程式为_____________________。
(5)F有多种同分异构体,符合下列条件的同分异构体有____________种。
①能发生水解和银镜反应
②属于芳香族化合物且分子中只有一个甲基
③具有5组核磁共振氢谱峰
(6)糠叉丙酮()是一种重要医药中间体,参考上述合成路线,设计一条由叔丁醇((CH3)3COH)和糠醛()为原料制备糠叉丙酮的合成路线(无机试剂任选,用结构简式表示有机物,用箭头表示转化关系,箭头上注明反应试剂和条件)___。
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】电池在人类生产生活中具有十分重要的作用,其中锂离子电池与太阳能电池占有很大比重。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。其材料有单晶硅,还有铜、锗、镓、硒等化合物。
(1)基态亚铜离子中电子占据的原子轨道数目为____________。
(2)若基态硒原子价层电子排布式写成4s24px24py2,则其违背了____________。
(3)下图表示碳、硅和磷元素的四级电离能变化趋势,其中表示磷的曲线是_______(填标号)。
(4)元素X与硅同主族且原子半径最小,X形成的最简单氢化物Q的电子式为_____,该分子其中心原子的杂化类型为_____。写出一种与Q互为等电子体的离子______。
(5)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性。自然界中含硼元素的钠盐是一种天然矿藏,其化学式写作Na2B4O7·10H2O,实际上它的结构单元是由两个H3BO3和两个[B(OH)4]-缩合而成的双六元环,应该写成Na2[B4O5(OH)4]8H2O.其结构如图所示,它的阴离子可形成链状结构,则该晶体中不存在的作用力是__________(填选项字母)。
A 离子键 B 共价键 C 金属键 D 范德华力 E 氢键
(6)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm3,其晶胞结构如图所示。已知GaAs与GaN具有相同的晶胞结构,则二者晶体的类型均为____,GaAs的熔点____(填“高于”或“低于”)GaN。Ga和As的摩尔质量分别为MGa gmol1和MAs gmol1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_______。
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】铜板上铁铆钉处的吸氧腐蚀原理如图所示,下列有关说法中错误的是
A. 此过程中铁被腐蚀
B. 此过程中电子从Fe移向Cu
C. 正极电极反应式为:2H++2e-===H2↑
D. 此过程中还涉及反应:4Fe(OH)2+2H2O+O2===4Fe(OH)3
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】用纳米Fe/Ni复合材料能去除污染水体的NO3,Ni不参与反应。离子在材料表面的活性位点吸附后发生反应,活性位点被其他附着物占据会导致速率减慢(NH4+无法占据活性位点)。反应过程如图所示:
(1)酸性环境中,纳米Fe/Ni去除NO3分两步,将步骤ii补充完整:
ⅰ.NO3+Fe+2H+=NO2+Fe2++H2O
ⅱ.□ +□ +□H+=□Fe2++□ +□ ______
(2)初始pH=2.0的废液反应15min后,出现大量白色絮状物,过滤后很快变成红褐色,结合化学用语解释整个变化过程的原因_________。
(3)水体初始pH会影响反应速率,不同pH的硝酸盐溶液与纳米Fe/Ni反应时,溶液中随时间的变化如图1所示。(注:c0(NO3)为初始时NO3的浓度。)
①为达到最高去除率,应调水体的初始pH=______。
②t<15min,pH=2.0的溶液反应速率最快,t>15min,其反应速率迅速降低,原因分别是_______。
(4)总氮量指溶液中自由移动的所有含氮微粒浓度之和,纳米Fe/Ni处理某浓度硝酸盐溶液时,随时间的变化如图2所示。40min时总氮量较初始时下降,可能的原因是_____。
(5)利用电解无害化处理水体中的NO3,最终生成N2逸出。其装置及转化图如图所示:
①阴极的电极反应式为___________。
②生成N2的离子方程式为_________。
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】反应物和生成物均为气态的平衡体系,平衡常数表达式为K= ,有关该平衡体系的说法错误的是
A. 升高温度,该反应平衡常数K的变化无法判断
B. 增大压强,W的质量分数减小
C. 该反应的化学方程式为3Z(g)+2W(g)X(g)+2Y(g)
D. 增大X气体的浓度平衡向正反应方向移动
查看答案和解析>>
科目: 来源: 题型:
【题目】如图为 A、B 元素的原子结构示意图。下列说法错误的是( )
A.B 的原子结构示意图中 x 为 12
B.A 和 B 分别属于非金属元素和金属元素
C.A 的原子和 B 的原子分别形成简单离子的过程相同
D.A 与 B 可组成化学式为 BA2 的化合物
查看答案和解析>>
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com