Question

现有部分前四周期7种元素，原子序数依次增大，它们的性质或原子结构如下表：

元素编号	元素性质或原子结构
A	A原子所处的周期数、族序数都与其原子序数相等
B	L层s电子数比p电子数少l
C	核外电子有8种不同的运动状态
D	第三周期中的半导体材科
E	最外层电子数比次外层电子数少2个电子
F	第四周期中未成对电子数最多
G	G3+核外电子有3层且M层3d轨道电子半充满

（1）B、C、D第一电离由大到小的顺序为（用元素符号表示）：

 

．B单质分子中，含有

 

个?键，
（2）如图是E和G形成的晶体GE₂最小单元“晶胞”，GE₂晶体中阴、阳离子数之比为

 

．
（3）100ml 0.1mol/L（FCl₃?6H₂O）水溶液，用过量硝酸银溶液处理，产生0.01mol AgCl沉淀．则FCl₃?6H₂O最可能的化学式是

 

每摩尔D与A形成分子中所含的化学键物质的量为

 

．
（4）D单质的熔点

 

E单质的熔点（填“高于”或“低于”），其原因是：

 

．
（5）G（CO）₅在一定条件下发生分解反应：G（CO）₅=G（s）+5CO，反应过程中，断裂的化学键只有配位键，形成的化学键是

 

．

Answer 1

考点：位置结构性质的相互关系应用

专题：元素周期律与元素周期表专题

分析：前四周期7种元素，原子序数依次增大，A原子所处的周期数、族序数都与其原子序数相等，则A为H；B的L层s电子数比p电子数少l，其原子序数为7，为N元素；C的核外电子有8种不同的运动状态，则C有8个电子，C为O；D为第三周期中的半导体材料，D为Si；E的最外层电子数比次外层电子数少2个电子，则E为S；F的第四周期中未成对电子数最多，则外围电子排布为3d⁵4s¹，核外电子数为24，为Cr元素；G³⁺核外电子有3层且M层3d轨道电子半充满，原子的外围电子排布为3d⁶4s²，原子序数为26，即G为Fe，以此来解答．

解答： 解：前四周期7种元素，原子序数依次增大，A原子所处的周期数、族序数都与其原子序数相等，则A为H；B的L层s电子数比p电子数少l，其原子序数为7，为N元素；C的核外电子有8种不同的运动状态，则C有8个电子，C为O；D为第三周期中的半导体材料，D为Si；E的最外层电子数比次外层电子数少2个电子，则E为S；F的第四周期中未成对电子数最多，则外围电子排布为3d⁵4s¹，核外电子数为24，为Cr元素；G³⁺核外电子有3层且M层3d轨道电子半充满，原子的外围电子排布为3d⁶4s²，原子序数为26，即G为Fe，
（1）同周期自左而右第一电离能呈增大趋势，非金属性越强第一电离能越大，但N元素原子2p能级容纳3个电子，为半满稳定状态，能量较低，第一电离能高于同周期相邻元素，故第一电离能N＞O＞Si，B单质分子结构为N≡N，含1个?键，故答案为：N＞O＞Si；1；
（2）由晶胞图可知，阴阳离子均在顶点，GE₂晶体中阴离子为4×

1

8

=2，阳离子数为4×

1

8

=2，个数之比为1：1，故答案为：1：1；
（3）产生0.01mol AgCl沉淀，则FCl₃?6H₂O电离得到0.01molCl^-，0.01molFCl₃?6H₂O，Cr的配位数为6，最可能的化学式是[CrCl₂（H₂O）₄]Cl．H₂O，每摩尔D与A形成分子为SiH₄，所含的化学键物质的量为4molSi-H，故答案为：[CrCl₂（H₂O）₄]Cl．H₂O；4mol；
（4）Si为原子晶体，S为分子晶体，共价键的作用力远大于分子间作用力，则Si的熔点大于S的熔点，故答案为：高于；Si为原子晶体，S为分子晶体；
（5）Fe（CO）₅在一定条件下发生分解反应：Fe（CO）₅=Fe（s）+5CO，反应生成Fe，所以形成的化学键为金属键，故答案为：金属键．

点评：本题考查结构性质位置关系应用，为高频考点，涉及核外电子排布、电子式、电离能、配合物、元素化合物性质等，题目难度中等，明确元素种类是关键，（3）中注意配合物中外界离子与配体性质区别．